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MH4S64DBKG-7L

268435456-bit (4194304 - word BY 64-bit)synchronousdram

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM144,32
针数
144
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
6 ns
其他特性
A/S
最大时钟频率 (fCLK)
100 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N144
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
144
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM144,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
31.496 mm
最大待机电流
0.004 A
最大压摆率
0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
参数对比
与MH4S64DBKG-7L相近的元器件有:MH4S64DBKG-8L、MH4S64DBKG-7、MH4S64DBKG-8。描述及对比如下:
型号 MH4S64DBKG-7L MH4S64DBKG-8L MH4S64DBKG-7 MH4S64DBKG-8
描述 268435456-bit (4194304 - word BY 64-bit)synchronousdram 268435456-bit (4194304 - word BY 64-bit)synchronousdram 268435456-bit (4194304 - word BY 64-bit)synchronousdram 268435456-bit (4194304 - word BY 64-bit)synchronousdram
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32
针数 144 144 144 144
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 A/S A/S A/S A/S
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX64 4MX64 4MX64 4MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 31.496 mm 31.496 mm 31.496 mm 31.496 mm
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.44 mA 0.44 mA 0.44 mA 0.44 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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